537РУ3Б
Информация о «537РУ3Б»
1. Общие сведения
-
Тип ИС: Статическое оперативное запоминающее устройство (СОЗУ / SRAM)
-
Технология: ТТЛШ (ТТЛ с диодами Шоттки)
-
Организация памяти: 256×4 бита (1 Кбит)
-
Корпус: Керамический DIP-18 (тип 238.18-1)
-
Аналоги: КР537РУ3, 514РУ3, SN74S189 (частично)
2. Основные характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Напряжение питания | +5 В ±5% |
| Время доступа | 35 нс |
| Потребляемый ток | 150 мА (актив.), 50 мА (ожид.) |
| Температурный диапазон | -10...+70°C |
| Цикл чтения/записи | Неограничен |
3. Функциональные особенности
-
Полная ТТЛ-совместимость
-
Недеструктивное считывание
-
Раздельные линии управления чтением/записью
-
Три состояния на выходе
4. Применение
-
Буферная память в советских ЭВМ (СМ ЭВМ, Электроника)
-
Кэш-память контроллеров
-
Табличные преобразователи
-
Временное хранение данных
5. Конструктивные особенности
-
Керамический корпус с позолоченными выводами
-
Встроенные схемы синхронизации
-
Защитные диоды на всех входах
6. Особенности эксплуатации
-
Обязательное использование блокировочных конденсаторов (0.1 мкФ)
-
Запрет на "горячее" подключение
-
Учет деградации параметров при длительной эксплуатации
7. Отличия модификации "Б"
-
Улучшенные временные характеристики
-
Пониженное энергопотребление
-
Расширенный контроль качества